Руководство пользователя
Содержание
1 Общие указания
2 Требования безопасности
3 Технические характеристики
4 Комплектность
5 Устройство и порядок работы
5.1 Устройство
5.2 Панель управления
5.3 Горелки стола
5.4 Духовка
5.5 Гриль
5.6 Вертел
5.7 Подсветка духовки
5.8 Таймер механический
5.9 Крышка плиты
5.10 Хозшкафчик
6 Подготовка к работе
6.1 Установка
6.2 Подключение
7 Практические советы
7.1 По использованию горелок стола
7.2 По приготовлению в духовке
7.3 По приготовлению пирогов
7.4 По приготовлению мяса и рыбы
8 Обслуживание плиты
8.1 Уход за плитой
8.2 Чистка духовки
8.3 Замена лампы
9 Возможные неисправности и методы их устранения
10 Рекомендации ремонтным службам
11 Техническое обслуживание плиты
12 Транспортирование и хранение
13 Утилизация
14 Гарантии изготовителя
Адреса дилерских сервисных центров
Частотный регулятор M100-02200017A отличается от частотного преобразователя CIMRJ7AZB0P40 реальной номинальной мощностью преобразователя, тактовой частотой работы PWM-контроллера, логикой схемы автодиагностики неисправностей преобразователя, а также в большей степени наличием различных аппаратных дополнительных функций, доступных для простой настройки и выполнения специализированных задач и полностью заменяющих собой промышленную автоматику для выполнения автоматизированной работы основного промышленного оборудования автономно, без контроллеров, промышленных ПК, панелей оператора. Описанные факторы играют важную роль при поиске частотного преобразователя для реализации конкретных задач.
Определение причин сбоев и последующий профессиональный ремонт на профессиональном оборудовании частотных приводов, которые произведены фирмами danfos, delta, веспер и другими мировыми брендами производится в мастерской prom electric . Снятие и установка IGBT транзисторов, представляющих из себя очень ценные элементы во всем устройстве преобразовательной техники. Отличие транзистора IGBT от IGBT модуля заключается в том, что модуль может содержать один или более IGBT транзисторов, иногда включенных параллельно по схеме составного транзистора для увеличения коммутируемой мощности, а также в некоторых случаях схему контроля. IGBT — биполярный транзистор с изолированным затвором, представляет собой мощный полупроводниковый прибор обычно используемый как электронный ключ для средних и высоких напряжений. Благодаря совмещению преимуществ биполярного транзистора и полевого транзистора достигается большая мощность коммутации и малая необходимая управляемая мощность, так как управление осуществляется не током, а полем, что приводит к высокому КПД этих компонетов.